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植入的腦起搏器可能會受到磁場、電場的干擾，比如強(qiáng)磁場環(huán)境、高壓電場等。影響因素包括磁場強(qiáng)度、電場類型、距離、持續(xù)時間和設(shè)備自身特性等。 1. 磁場強(qiáng)度：高強(qiáng)度磁場，如大型磁共振成像（MRI）設(shè)備產(chǎn)生的磁場，可能干擾腦起搏器正常工作。 2. 電場類型：某些特殊的工業(yè)高壓電場或不穩(wěn)定的電力設(shè)施產(chǎn)生的電場可能有影響。 3. 距離：距離強(qiáng)磁場或強(qiáng)電場源較近時，干擾風(fēng)險增加。 4. 持續(xù)時間：長時間處于干擾源附近，干擾可能性增大。 5. 設(shè)備自身特性：不同型號和品牌的腦起搏器，抗干擾能力有所差異。 總之，植入腦起搏器的患者應(yīng)盡量避免處于可能產(chǎn)生強(qiáng)干擾的磁場、電場環(huán)境中。如有特殊情況需要接觸，應(yīng)提前咨詢醫(yī)生。