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輻射對胎兒致畸的幾率受多種因素影響，包括輻射類型、輻射劑量、輻射時長、胎兒發(fā)育階段以及孕婦個體差異等。 1. 輻射類型：如 X 射線、γ 射線等電離輻射致畸風(fēng)險相對較高，而電磁輻射如手機、電腦等的致畸風(fēng)險較低。 2. 輻射劑量：高劑量輻射更易導(dǎo)致胎兒畸形，低劑量輻射風(fēng)險相對較小。 3. 輻射時長：長時間暴露在輻射環(huán)境中，致畸幾率增加。 4. 胎兒發(fā)育階段：孕早期是胎兒器官形成的關(guān)鍵時期，此時受輻射致畸可能性較大。 5. 孕婦個體差異：有些孕婦自身對輻射的抵抗力較弱，更容易受到影響。 總之，輻射對胎兒致畸的幾率不能一概而論。孕婦應(yīng)盡量避免接觸高風(fēng)險的輻射源，按時進行產(chǎn)檢，以便及時發(fā)現(xiàn)問題并采取相應(yīng)措施。

你好，孕婦使用具有輻射性的東西過多是有可能會導(dǎo)致胎兒畸形的發(fā)生。具體因人而異，建議你在懷孕期間少使用電腦、電視、手機、電磁爐、微波爐、電熱毯為宜。